《金融时报》称：中国可以通过升级老旧 DUV 光刻机生产芯片，并用创新新的工艺“多重曝光“工艺，让中国可以生产先进的芯片！ 《金融时报》表示：中国要想获得 ASML 先进的 EUV 光刻机已经是不可能了，美国正在对 ASML 严格的布控。在此情况之下，中国只能从海外淘购配件 用来升级硅晶圆的基础平台，同时提升芯片平台的透镜及传感器的精度，同时中国自主研制了“多重曝光”的工艺制程， 这种工艺制程能对硅晶圆进行重复的 DUV 曝光，以便能生产更为先进的芯片，但这种办法降低了生产效率 生产时间及成本也大幅度提升，同时不良率也增加！ 所以《金融时报》认为，美国及荷兰 ASML 根本围堵不了中国，中国目前从现有的 DUV 基础上进行技术升级，可以做到 7 纳米以下制程的芯片，目前中芯国际正在用“多重曝光”巧妙的方法生产先进芯片。 新凯莱公司在2025年，它是带着31款新发布的并且已经实现量产的半导体设备来了那这些设备就涵盖了扩散薄膜、光学检测、光学量测等等这些关键的设备领域。覆盖5nm及以下制程，直接和ASML同类产品竞争。 所以《金融时报》报道并不一定是全面的，但中国的厂家在原有的 DUV 基础上进行升级是有一方面，但中国自身研制的 DUV 技术有些已经突破并进入量产，有些正在突破，时间不会太长了。
