华为已有2款等效3纳米芯片，2030年左右EUV光刻机或开始在产线运行 昨天华

华为已有2款等效3纳米芯片，2030年左右EUV光刻机或开始在产线运行 昨天华为在上海国际电路与系统研讨会上甩出后摩尔时代的发展原则“韬（τ）定律”以及近5年华为的芯片发展计划。其中有一张图表隐含2项重要信息。 1、基于逻辑折叠技术开发的等效3纳米芯片已有实物，并非纸上谈兵 表中标记2026年推出峰值运行频率达3.1GHz、晶体管密度达238MTr/mm²的芯片；2027年推出峰值运行频率达3.39GHz、晶体管密度达252MTr/mm²的芯片。图1均标注为硅片（如箭头所示），说明已有实物。 2、预计2030年国产EUV光刻机开始投入产线运行 2026～2030年，每年推出的处理器晶体管密度和峰值运行频率都是呈线性增长的，但到2031年推出的处理器晶体管数量和峰值运行频率出现大幅度增长，说明制程工艺有很大进步。合理推测，2030年国产EUV光刻机开始投入产线运行，制程工艺有较大进步。同时也宣告某些国家强行将我国锁死在7纳米级制程工艺的战略企图彻底沦为笑话。