存储芯片超级周期全面开启高盛大幅上调2026年存储涨价预期，DRAM涨幅看至250%-280%，NAND大涨200%-250%，较年初预测直接翻倍，行业紧缺程度超预期。核心逻辑源于双向失衡：AI服务器爆发拉动高性能存储刚需，叠加大厂前期减产，短期产能修复缓慢，供需缺口持续扩大，推动价格强势上行。核心受益方向1. 存储模组涨价周期下库存与售价双重增值，业绩弹性突出。代表：佰维存储、德明利、香农芯创。2. 存储设计受益行业涨价与国产替代，细分赛道优势凸显。代表：兆易创新、澜起科技、北京君正、聚辰股份。3. 设备材料+封测大厂加速扩产，上游设备、耗材、封测订单充足，需求确定性强。代表：中微公司、北方华创、长川科技、深科技、长电科技等。当前存储景气周期强度与持续性有望超预期，不过板块已有阶段性涨幅，短期不宜盲目追高，可关注回调后的低吸机会。全球存储芯片 ⚠️个人观点，不构成任何投资建议，股市有风险，投资需谨慎。
