刚刚，台积电官宣1.2nm工艺！全球半导体工艺重大突破
4月22日，台积电在2026北美技术论坛上，正式公布直至2029年的通用制程技术路线图，其中最核心的是A12（1.2nm级）与A13（1.3nm级）两大全新工艺节点的官宣，以及截至2029年暂无计划采用高NAEUV光刻的重大决策。
台积电业务开发暨全球销售资深副总裁张晓强（KevinZhang）在会上直言：“我们的研发团队找到了不依赖天价新设备就能实现工艺微缩的方法，这绝对是我们的一大优势。”这次技术发布最颠覆行业认知的，是台积电彻底告别“一刀切”的工艺开发模式，转向分岔式战略。根据终端市场需求差异，台积电明确了双轨并行的发布节奏，即每年为消费级终端推出一款新工艺，每两年为重型AI与HPC应用推出一款新工艺。
面向消费终端市场，台积电推出了两大过渡方案。
①A13作为A14的光学微缩版，计划2029年量产，通过线性尺寸缩小约3%实现晶体管密度提升6%，同时与A14保持完全兼容的设计规则与电气特性，客户几乎无需重新设计即可复用现有IP。
②而N2U作为N2平台的第三年延伸版本，通过DTCO技术实现同功耗下性能提升3%-4%、同频率下功耗降低8%-10%，且保持与N2PIP兼容，为消费电子厂商提供低成本升级路径，预计2028年投产。
针对AI与HPC的极致性能需求，台积电祭出A16与A12两大旗舰工艺。①A16作为带超级电源轨（SPR）背面供电架构的N2P，基于第一代GAA纳米片晶体管，相比N2系列提供显著的功耗、性能与密度优势，尽管量产时间从2026年推迟至2027年。张晓强解释：“A16将在2026年准备就绪，但大规模量产取决于客户需求，预计2027年上量。”
②而计划2029年问世的A12，作为A16的继任者，将采用第二代GAA纳米片晶体管与NanoFlexPro技术，同步微缩正面与背面结构，实现全节点级代差优势。
这次台积电明确拒绝高NAEUV光刻，要知道，这种新一代设备每台售价高达4亿美元，约为现有EUV机型的两倍，且需要全新的光刻胶与工艺适配。张晓强在会上毫不掩饰对成本的顾虑：“或许未来某一天我们不得不使用它，但就目前而言，我们仍能从现有EUV中挖掘收益，不必转向高NAEUV——毕竟它极其昂贵。”这一决策与英特尔形成鲜明对比，后者计划在14A及后续节点（2027-2028年）开始使用高NAEUV。
台积电的技术路线图调整，本质上是对芯片行业发展规律的深刻洞察，通过A12/A13/N2U等差异化节点，台积电既满足了消费电子对成本与兼容性的需求，又通过A16等高性能工艺抓住AI时代的增长机遇，同时绕开天价设备投资，为行业提供了可持续发展的新范式。
