未来五年（2026-2031），中国芯片将实现成熟制程全面自主，先进制程关键突破，但完整意义上的全链条自主生产仍需时间。 当前，封装测试、中低端芯片设计等环节国产化率已超90%，28nm及以上成熟制程设备与材料（如离子注入机、电子级氢氟酸）将在2027年前完成全面替代。14nm中端制程有望在2028年前规模化量产，良率达到国际水平。 但7nm及以下先进制程仍受限于EUV光刻机、高端EDA工具等“卡脖子”技术，短期内难以实现自主量产 。未来五年的核心突破将集中在“成熟制程自主可控+中端技术规模化”，为高端环节攻坚奠定基础。
未来五年（2026-2031），中国芯片将实现成熟制程全面自主，先进制程关键突破
大别山人续说外国故事
2026-02-02 21:54:46
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