阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 有人可能会说，咱们可以搞自主研发啊。这话没错，但半导体产业是个庞大的生态系统，不是光靠砸钱就能解决的。就拿光刻胶来说，日本信越化学一家就占了全球52%的市场份额，咱们国产ArF光刻胶的自给率还不到5%。 EUV光刻机里的钼/硅多层膜，国内连镀膜设备都造不出来，更别说达到70%的反射率了。还有软件系统，ASML的光刻机要调用600多套工艺菜单，而上海微电子现在公开的还不到150套，调参周期更是长达2 - 3周。这些都是看不见的“软门槛”，比硬件突破还难。 技术封锁带来的影响更是实实在在的。ASML卖给咱们的DUV设备都是2013 - 2015年的技术水平，跟他们最新的High - NA EUV差了整整8代。而且就算买到了设备，后续维护也被卡得死死的。 2025年荷兰新规出台后，ASML连维修零件都得逐案审批，国内晶圆厂的设备故障率已经上升了15%。更绝的是，ASML的光刻机控制系统需要定期联网更新，一旦断了网，机器就可能直接锁死变成废铁。这种“远程锁机”的操作，让咱们就算有设备也不敢放开了用。 有人可能会问，那咱们能不能绕过EUV，走其他技术路线？比如纳米压印或者电子束光刻。想法是好的，但现实很骨感。纳米压印技术现在只能做到10纳米分辨率，而且模板的重复使用次数只有EUV掩膜版的1/10，成本反而更高。 电子束光刻倒是能达到5纳米精度，可速度太慢了，一台设备一天只能曝光几片晶圆，根本没法量产。还有X射线光刻，光源功率连ASML的1/10都不到，离实用化还差着十万八千里。 再看看时间成本。ASML从1984年成立到2010年推出第一台EUV原型机，用了整整26年，期间投入了超过100亿欧元研发费用。咱们现在要从零开始追赶，就算砸钱速度比他们快一倍，也得10年以上才能看到成效。 更麻烦的是，ASML并没有停下来等咱们。他们的High - NA EUV光刻机已经开始量产，能支持2纳米以下制程，而咱们的EUV原型机预计2026年才能进入试产阶段，差距还在进一步拉大。这种技术代差就像滚雪球一样，越往后越难追。 还有供应链的问题。EUV光刻机里超过85%的零件来自全球供应商，咱们要实现完全自主化，就得把这些供应商的技术全部吃透。比如光源系统里的锡滴发生器，美国Cymer垄断了全球市场，咱们连图纸都拿不到。 光学系统的镜片镀膜技术，德国蔡司有超过2000项专利，咱们每走一步都可能踩到别人的专利雷区。更要命的是，ASML通过“客户共同投资计划”把英特尔、三星、台积电都绑在了一起，形成了一个利益共同体，咱们想打破这个圈子，难上加难。 有人可能会说，咱们有国家大基金支持，还有那么多高校和企业在攻关，肯定能追上。这话没错，但半导体产业不是靠“集中力量办大事”就能解决的。就拿EUV光源来说，国内团队试过激光诱导放电（LDP）和同步辐射两种路线，LDP的功率只有ASML的1/5，同步辐射又太耗电，根本没法实用化。 光学系统的镜片抛光，咱们现在还得靠手工研磨，效率只有蔡司自动化产线的1/10。这些都是需要时间积累的技术细节，急不得。 再看看人才储备。半导体行业是典型的“金字塔型”人才结构，高端人才更是稀缺。ASML光研发团队就有8000多人，其中30%拥有博士学位。 咱们国内半导体人才缺口现在有30万人，而且大部分集中在应用层面，基础研究领域的顶尖专家少之又少。更麻烦的是，ASML通过高薪和股权激励吸引了全球顶尖人才，咱们就算开出同样的条件，也很难挖过来，毕竟人家的技术平台和研发资源摆在那儿。 最后说说市场竞争。就算咱们真的突破了EUV技术，还得面对ASML的市场垄断。他们现在全球装机量超过200台，客户包括台积电、三星、英特尔这些巨头，这些企业跟ASML合作了几十年，早就形成了深度绑定。 咱们的国产EUV光刻机就算性能达标，人家也不一定敢用，毕竟更换设备意味着整个产线都得重新调试，良率波动可能会带来数十亿的损失。这种“先入为主”的市场壁垒，比技术壁垒更难突破。 所以说，ASML CEO说的不是危言耸听。咱们在半导体领域确实落后了10 - 15年，而且这个差距不是一朝一夕能追上的。EUV光刻机的技术复杂性、全球供应链的深度绑定、人才储备的巨大缺口，这些都是摆在咱们面前的现实困难。
