长鑫存储与海力士、美光在HBM差距 -技术研发与量产进度：海力士在2024

长鑫存储与海力士、美光在HBM差距 - 技术研发与量产进度：海力士在2024年3月就启动了HBM3E大规模生产，并于2024年9月提前量产12层堆叠版本。美光也已向行业主要合作伙伴出货量产级12层堆叠HBM3E产品 。而长鑫存储虽已向包括华为在内的国内客户交付16纳米制程的HBM3样品，预计2026年实现全面量产，但其整体进度落后海力士等国际厂商3至4年 。 - 产品性能与规格：美光的12层堆叠36GB HBM3E产品，引脚速度超过9.2Gb/s时，可提供1.2TB/s以上的内存带宽，相比竞品的8层堆叠24GB方案，在封装内的DRAM容量提升50%，同时功耗显著降低 。海力士的HBM3E产品也具有高带宽、低功耗等优势，广泛应用于AI服务器、GPU等高性能计算领域。长鑫存储的HBM产品在良率和成本竞争力方面仍有提升空间，虽然其HBM3产品良率表现已接近三星电子水平，但在容量、带宽等性能指标上尚未有明确的领先数据披露 。 - 市场份额：根据TrendForce预测，2025年HBM市场中，SK海力士、三星、美光的市占率分别是52%、29%和19%，长鑫存储等国内厂商的市场份额较小，仍处于起步阶段。