国产存储再突破！兆易创新阻变存储器（ReRAM）开启 AI 算力新纪元！-20251024
事件催化
10月23日，官媒权威发声：北京大学团队联合集成电路学院研制出基于阻变存储器（ReRAM）的模拟矩阵计算芯片，计算吞吐量与能效较顶级GPU提升百倍至千倍，相关成果登《自然・电子学》！
兆易创新—— ReRAM 领域的 “中国芯力量”
【技术壁垒筑牢护城河】通过 NOR Flash 与 ReRAM 混合架构实现突破，40nm 制程 ReRAM 芯片良品率达 92%，HfO₂基材料配方和 3D 堆叠技术持有 217 项核心专利，技术储备全球前五！2024 年获授权的 NOR 型 ReRAM 专利，通过创新结构设计实现存储密度跃升。
【产业协同抢占先机】2018 年联合 Rambus 成立合肥睿科微，获 180 多项 ReRAM 专利授权；清华大学吴华强课题组和兆易创新公司在阻变存储器的研究上一直保持着长期的合作。兆易创新作为核心技术合作伙伴，其资深经理陈鸿禹博士参与论文合著，研究成果为高密度 ReRAM 芯片设计提供关键支撑！未来将共同开发更大规模 ReRAM 阵列。
【市场前景星辰大海】ReRAM 作为下一代存储技术，在 AI 存算一体、6G 通信等场景潜力巨大。兆易创新凭借低功耗、高速度优势，已在工业视觉、边缘计算等领域启动产业化验证，预计 2025 年底实现小规模供货。
