H210G56指标,计算下来就是125mtr的布线密度,125MTr/mm(即每平方毫米125亿个晶体管)。这一密度介于台积电的N6(113MTr/mm)与三星早期的5nm(127MTr/mm)工艺之间,相当于台积电的5.5nm工艺水平……
台积电首席科学家黄嘉兴:如果你(张忠谋)仍然幻想美国有希望阻止中国在半导体领域的
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H210G56指标,计算下来就是125mtr的布线密度,125MTr/mm(即每平方毫米125亿个晶体管)。这一密度介于台积电的N6(113MTr/mm)与三星早期的5nm(127MTr/mm)工艺之间,相当于台积电的5.5nm工艺水平……
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