国产晶体管实现全球领跑，科技自立自强再添硬实力！ 中科院金属所孙东明、刘驰团队联合上海微系统所、华东师大、中科院微电子所等单位，成功研制出国际上首款实现射频测试功能的硅-石墨烯-锗势垒晶体管，这一重磅科技成果于6月6日发表在《自然·通讯》，迅速引发全网热议，也让大众真切感受到我国半导体领域的突破性进展。在全球芯片竞争日趋激烈的当下，这项原创技术的落地，有着远超技术本身的深层意义。 晶体管是芯片与微电子产业的基石，如今传统高频晶体管在追求更高截止频率时面临诸多瓶颈。随着5G规模化部署与6G技术前瞻研发，物联网、超高速传感及智能通信系统对晶体管运行速度提出更高要求，需突破1太赫兹关键门槛。此次我国科研团队另辟蹊径，依托硅、石墨烯、锗三种材料的特性打造全新垂直结构器件，利用石墨烯与硅、锗界面形成的不对称肖特基势垒以及石墨烯的量子电容效应，实现了高电流增益与高频工作。 该晶体管实测表现优异，本征截止频率达到132GHz，超越此前所有垂直二维基区晶体管的最高纪录，共射极电流增益高达1.8×10⁷（1800万倍），创下目前已报道晶体管中的最高纪录。进一步的器件建模与仿真分析表明，通过优化材料掺杂浓度、降低接触电阻及缩减寄生效应，该器件的理论工作频率有望突破1THz，正式迈入太赫兹应用频段，为6G传感、超高速信号处理、射频设备等领域提供了全新技术路径。这不是简单的参数升级，而是在高端高频半导体赛道实现了从跟跑到领跑的跨越，打破了长期以来的技术壁垒。 核心技术从来无法依靠引进，唯有自主攻坚才能掌握发展主动权。这项成果，是我国基础科研与应用研发深度融合的成果，也彰显了国内科研团队深耕前沿、久久为功的钻研精神。它补齐了产业链关键短板，进一步夯实了我国下一代通信产业的自主根基。 科技突破没有终点，期待这款新型晶体管加快产业化步伐，让实验室里的硬核技术落地生根，持续为我国科技产业高质量发展注入动能。 各位读者你们怎么看？欢迎在评论区讨论！
