JPM的 Micron 会议备忘录， 相当重要
要点是这些方面
・HBM4 的生产扩张速度约为去年 HBM3E 12-High 的 2 倍 ・HBM4E 也正顺利推进 2027 年的量产扩张 ・不仅 DRAM，在 NAND 领域也正在确保 SCA ・Micron 的数据中心 SSD 份额呈上升趋势 ・HBM 比普通 DRAM 使用更大的晶圆容量，因此会加强供应限制 ・新工厂、洁净室、设备引进需要时间
这里重要的是，并非简单地说“内存市场形势强劲”，而是具体说明了为什么这种强劲状态容易持续。
首先是 HBM。 HBM4 的生产扩张速度，据称约为去年 HBM3E 12-High 的 2 倍。此外，HBM4E 也正顺利推进 2027 年的量产扩张。 这不是“AI 向け内存需求强劲”这种泛泛而谈，而是新一代产品实际正在推进过渡的故事。
接下来是供应限制。
报告中指出，除了 DRAM/NAND 的技术转换导致比特增长率较以往下降之外，HBM 比普通 DRAM 使用更大的芯片面积，因此即使相同的晶圆投入量，供应比特量也会受到限制。
也就是说，并非需求增加就能立即扩大供应。
需要新的洁净室、新工厂、设备引进、启动、良率改善。
这里需要时间。
此外值得关注的是 SCA。
SCA 是 Strategic Customer Agreement，即与客户之间的战略供应协议。
在 3 月宣布首个 5 年期 DRAM SCA 后，不仅与追加客户的协商正在推进，而且在 NAND 领域也正在确保 SCA。
这一点相当重要。
不仅 HBM 和先进 DRAM，在数据中心 SSD、AI 推理、Key-Value offload 等用途中，NAND 也可能正成为“客户想要确保的战略物资”。
Micron 的数据中心 SSD 份额，据称从 2022 年的 5～7% 上升到 2023 年的 10～12%，到 2025 年底将达到 15%。
从投资者的视角来看，观察 Micron 时，不能只看 HBM。
・HBM4/HBM4E 的启动 ・DRAM/NAND 的技术转换带来的供应限制 ・HBM 对晶圆容量的挤压 ・新工厂、洁净室扩建的时间轴 ・数据中心 SSD 份额的上升 ・扩展到 NAND 的 SCA
需要将这些作为一个整体来看。
这不仅对 Micron，而且对 SanDisk、Kioxia、SK Hynix、三星电子的观察，也都是重要的论点。
