在近日的季度财报法人说明会上，台积电披露了1nm及以下工艺生产线的相关规划。
公司计划在中国台湾台南建设A10晶圆厂，其中P1至P4厂区将用于发展1nm及以下的先进制程技术，预计2029年启动试产，初期月产能为5000片晶圆。
在美国亚利桑那州凤凰城的Fab 21工厂方面，未来P3、P4、P5厂区将分别对应2nm、A16和A14工艺。台积电还在该区域临近规划了6个厂区，共计11座晶圆厂。
其中，首座先进封装厂将于今年下半年动工，目标2028年启用，初期将采用SoIC和CoWoS先进封装技术。
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