内存降价倒计时！英特尔重磅下场，ZAM颠覆HBM，国产存储与中算力迎来大拐点
AI算力狂飙、存储价格疯涨的时代，巨头亲自下场破局——内存降价真的要来了！
2026年2月2日，英特尔官宣重启内存业务，不是走传统DRAM老路，而是直接以ZAM新型堆叠DRAM切入AI与HPC高端赛道，同日与软银子公司SAIMEMORY达成战略合作，正式打响下一代内存技术争夺战。
这不是小打小闹，而是技术路线级重构：
• 单芯片最高512GB，容量直接越级
• 功耗较主流HBM大降40%–50%，算力密度与能效双突破
• 路线清晰：2026 Q1启动→2027原型→2029量产→2030全面商业化
英特尔本就是存储架构与接口标准的定义者，此次瞄准万亿算力市场，精准切中高带宽、高容量、低成本的行业痛点，直接冲击现有HBM与DRAM价格体系。
中国市场：全球最大、空间最广，涨价与替代并存
中国已是全球存储芯片核心市场，规模持续扩容、国产化仍有巨大缺口：
• 2023年：约3943亿元
• 2024年：约4267亿元（同比+8.2%）
• 2025年：约4580亿元（同比+7.3%）
• 2026E：约4888亿元（同比+6.7%）
全球占比已达30%–35%，但2025年国产化率仅25%–30%，替代空间巨大。
价格拐点将至：技术破局+供给扩容，中算力全面提速
当前存储价格高企，严重制约中算力普及与AI下沉。英特尔ZAM入局，本质是用新技术打开供给天花板、压制成本曲线：
• 高端存储不再被少数厂商垄断，价格预期提前松动
• 低功耗+大容量，直接降低AI服务器、边缘计算、智算中心硬件门槛
• 国产存储在价格下行周期中，更易放量上量、快速提升份额
一句话总结：存储降价→算力成本下降→中算力加速普及→AI应用全面爆发，这条传导链已经启动。
巨头定技术、市场定空间、国产定增量，存储芯片正从“涨价周期”走向“技术普惠周期”。对产业链而言，这不是利空，而是更大规模、更长周期的成长红利。
