我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳米),工艺制程约6纳米(5.6多些,约6),对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米,这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心,但也很了不起了,大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离,也算是当前国产芯片的顶峰了!

这个说法有点胡说八道了!14 纳米技术经过了多重曝光而来的成功率能达成90-85%是7纳米技术,再往下探到5-4纳米,其成品率几乎是直线下降的!我个人猜想依旧还是7纳米技术的延伸,最主要是在成品良率和产能方面的提升
VCc
狗屁不通
只有猴子拿手机跑分
目前已经足够用了,未来还有很大的进步空间
崔宇
意思是euv不突破,n+3已经是极限了?
用户10xxx57 回复 11-24 01:57
目前光刻机物理极限是7nm,3nm、5nm就是个概念,叫等效,看封装和调校
用户10xxx57 回复 11-24 01:58
目前光刻机物理极限是7nm,3nm、5nm就是个概念,叫等效,看封装和调校
不朽情缘
电子垃圾
暗夜 回复 11-24 15:00
还不服气的话解释解释盾构机。。空间站。。。等等等。。多少东西国产化后吊打西方原产???你公司不过是买的国产便宜货而已。
暗夜 回复 11-24 14:43
拉倒吧。你不过是进口用贵的。你试试同价位?呵呵。
用户10xxx38
明年这时候5纳米芯片就量产了!
淡定 回复 freefly 11-24 09:17
被美国全面封禁前,华为CPU和GPU基本都用公版和代工。就是优先商业考虑,使用成熟方案,降低风险。
freefly 回复 11-24 08:37
从商业角度来说战争状态已经好几年了
烟¥花,,乐
可以了,慢慢来
用户10xxx58
都是用ASML的高端DUV光刻机搞得,套刻技术玩到极致的做法。
淡定 回复 11-24 06:55
不一定,给华为供货的生产线要保证合规的话,连美国生产的锤子都不能用。ASML光刻机从零件到软件都要做到合规,至少要有可替代的。
暗夜 回复 11-23 19:38
没办法。没被制裁的时候国内没发力光刻机。
nba1999
有博主是等效于台积电三nm,不知道是不是真的
用户15xxx52 回复 11-23 22:57
这已经是设备极限了,大约6nm水平,科普下,台积电7nm密度大约1亿/mm,5nm大约1.7亿/mm,中芯国际n+3大约1.25亿/mm
刘东 回复 11-23 22:50
晶体管密度高不就是等于晶体管数量多么,芯片大小都是差不多的
狂笑
国产进步就好
李宗政
最不知真实情况的行业!
遥遥领先
明天会更好 回复 11-24 08:58
嗬哔崽
无语了!你根本没搞懂中国人是如何坑回中国人!
小U
发布会都不敢开了,骗不下去了
沒心沒肺 回复 11-24 12:17
本地的?
可可里
mate60我都用得好好的,闭眼买80吧
用户17xxx96
说的好像很专业,是真的吗
用户10xxx14
无语了!你根本就不懂和了解芯片测试!
知足常乐
你看?!你是谁?!
『 胖◕_◕佳 』
[抠鼻]等待中芯国际的研究吧!
守住平淡的生活
我不认同,更不敢苟同!国产芯片,除了小米玄界,一个能打的都没有
软饭协会冠军
最新消息和早期3纳米差不多
乱飘飘
28nm14nm7nm3nm对普通人来说有什么区别?